Кремневые биполярные эпитаксиально-планарные n-p-n составныемощные высоковольтные транзисторы КТД8264А, КТД8264А-5 предназначеныдля применения в выходных каскадах коммутаторов автомобильной идругих схемах аппаратуры широкого применения, изготавливаемых длянужд народного хозяйства. Граничное напряжение биполярного транзистора, Uкэ огр., В (при Iк = 0, 1 А) не менее 350 не более 520 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, Uкэ нас., В (при Iк = 8А; Iб = 100мА не более 1, 8 Iк = 10А; Iб = 250мА не более 1, 8 Iк = 12А; Iб = 300мА) не более 2, 0 Напряжение насыщения база-эмиттер, Uбэ нас., В (при Iк = 8А; Iб = 100мА не более 2, 2 Iк = 10А; Iб = 250мА не более 2, 5 Iк = 12А; Iб = 300мА) не более 2, 7 Прямое напряжение защитного диода транзистора, Uпр, В (при Iпр = 10А) не более 2, 5 Обратный ток эмиттера, Iэбо, мА (при Uэб = 5В) не более 20 Обратный ток коллектор-эмиттер, Iкэо, мА (при Uкэ = 300В) не более 0, 1 Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора, h21э (при Iэ = 5А, Uкэ = 10В) не менее 300