Представляет собой полупроводниковый прибор таблеточного исполнения с

габаритными размерами h=26мм диаметром105мм и массой не более 1.3кг,

при эксплуатации которого требуется усилие сжатия равное

(36000-3600)Н. Резисторы-шунты разработаны на номинальное

сопротивление 0.0005 и 0.001 Ом с допустимым отклонением +-5%.

Индуктивность прибора не более 3нГн; номинальная мощность рассеяния

10000Вт (действующее значение мощности в импульсном режиме 5000Вт)

при температуре корпуса 85град.; максимально допустимый импульсный

ток 10000А. E-mail: vei@vei.ru.